AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 4.1 A 80 V Nexperia, DFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

13 644,00 Kč

(bez DPH)

16 509,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 08. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
3000 +4,548 Kč13 644,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
151-3030
Výrobní číslo:
PMPB95ENEAX
Výrobce:
Nexperia
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Nexperia

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

4.1A

Maximální napětí na zdroji Vds

80V

Typ balení

DFN

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

202mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

9.9nC

Maximální ztrátový výkon Pd

15.6W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

0.65mm

Šířka

2.1mm

Délka

2.1mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

AEC-Q101

Unipolární tranzistor FET 80 V s jedním N-kanálem s technologií Trench MOSFET v plastovém SMD pouzdru DFN2020MD-6 (SOT1220) bez vývodů.

Technologie Trench MOSFET

Malé a ultra tenké plastové SMD pouzdro bez vývodů: 2 x 2 x 0,65 mm

Nekrytý jazýček pro kolektor pro vynikající vedení tepla

Pocínované 100% pájitelné boční jazýčky pro optimální pájených spojů

Certifikát podle normy AEC-Q101

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.