MPN

MOSFET SI2302CDS-T1-E3 N-kanálový 2,6 A 20 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	2,6 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	20 V
	Typ balení	SOT-23
	Typ montáže	Povrchová montáž
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	75 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	0.85V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	0.4V
	Maximální ztrátový výkon	0,71 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	±8 V
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	3,5 nC při 4,5 V
	Délka	3.04mm
	Maximální pracovní teplota	+150 °C
	Šířka	1.4mm
	Počet prvků na čip	1
	Výška	1.02mm
	Propustné napětí diody	1.2V
	Minimální provozní teplota	-55 °C

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 2,6 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 20 V
	Typ balení SOT-23
	Typ montáže Povrchová montáž
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 75 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 0.85V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 0.4V
	Maximální ztrátový výkon 0,71 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj ±8 V
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 3,5 nC při 4,5 V
	Délka 3.04mm
	Maximální pracovní teplota +150 °C
	Šířka 1.4mm
	Počet prvků na čip 1
	Výška 1.02mm
	Propustné napětí diody 1.2V
	Minimální provozní teplota -55 °C

Napájecí TrenchFET® MOSFET
Kategorizace materiálu:
APLIKACE
Spínání zátěže pro přenosná zařízení
Měnič DC/DC

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.