řada: HiperFET MOSFET IXFK66N85X Typ N-kanálový 66 A 850 V IXYS, TO-264, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
146-4374
Číslo zboží společnosti Distrelec:
302-53-353
Výrobní číslo:
IXFK66N85X
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

66A

Maximální napětí na zdroji Vds

850V

Typ balení

TO-264

Řada

HiperFET

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

65mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

30 V

Přímé napětí Vf

1.4V

Maximální ztrátový výkon Pd

1.25kW

Typický náboj brány Qg @ Vgs

230nC

Maximální provozní teplota

150°C

Šířka

5.3 mm

Délka

20.3mm

Výška

26.3mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Výkonové tranzistory MOSFET 850V Ultra-Junction třídy X s rychlými diodami představují novou produktovou řadu výkonových polovodičů od společnosti IXYS. Tato robustní zařízení se vyznačují nejnižším odporem v zapnutém stavu z celého odvětví a umožňují tak vysokou výkonovou hustotu ve vysokonapěťových aplikacích pro převod napájení. Tato nová 850V zařízení byla vyvinuta s využitím principu kompenzace náboje a patentované technologie zpracování. Vyznačují se nejnižšími odpory v zapnutém stavu (např. 33 mΩ v provedení SOT-227 a 41 mΩ v provedení PLUS264) a také nízkými náboji řídicí elektrody a špičkovým výkonem dv/dt.

Mimořádně nízký odpor při zapnutí RDS(on) a náboj řídicí elektrody Qg

Rychlá dioda

Odolnost dv/dt

Lavinová funkčnost

Nízká indukčnost součástky

Provedení podle mezinárodních norem

Související odkazy