MPN

řada: PowerTrenchMOSFET FDG313N N-kanálový 950 mA 25 V, SOT-363 (SC-70), počet kolíků: 6 Jednoduchý Si

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	950 mA
	Maximální napětí kolektor/zdroj	25 V
	Typ balení	SOT-363 (SC-70)
	Řada	PowerTrench
	Typ montáže	Povrchová montáž
	Počet kolíků	6
	Maximální odpor kolektor/zdroj	760 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	0.65V
	Maximální ztrátový výkon	750 mW
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-8 V, +8 V
	Počet prvků na čip	1
	Šířka	1.25mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	1,64 nC při 4,5 V
	Délka	2mm
	Materiál tranzistoru	Si
	Maximální pracovní teplota	+150 °C
	Propustné napětí diody	1.2V
	Výška	1mm
	Minimální provozní teplota	-55 °C

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 950 mA
	Maximální napětí kolektor/zdroj 25 V
	Typ balení SOT-363 (SC-70)
	Řada PowerTrench
	Typ montáže Povrchová montáž
	Počet kolíků 6
	Maximální odpor kolektor/zdroj 760 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 0.65V
	Maximální ztrátový výkon 750 mW
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -8 V, +8 V
	Počet prvků na čip 1
	Šířka 1.25mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 1,64 nC při 4,5 V
	Délka 2mm
	Materiál tranzistoru Si
	Maximální pracovní teplota +150 °C
	Propustné napětí diody 1.2V
	Výška 1mm
	Minimální provozní teplota -55 °C

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.