řada: HEXFETMOSFET AUIRF2907Z N-kanálový 75 A 75 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 145-9614
- Výrobní číslo:
- AUIRF2907Z
- Výrobce:
- Infineon
Nedostupné
Společnost RS již nebude tento výrobek vést skladem.
- Skladové číslo RS:
- 145-9614
- Výrobní číslo:
- AUIRF2907Z
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 75 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 75 V | |
| Typ balení | TO-220AB | |
| Series | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 4,5 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 4V | |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 2V | |
| Maximální ztrátový výkon | 300 W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -20 V, +20 V | |
| Šířka | 4.83mm | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Délka | 10.67mm | |
| Maximální pracovní teplota | +175 °C | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 180 nC při 10 V | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Výška | 16.51mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 75 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 75 V | ||
Typ balení TO-220AB | ||
Series HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 4,5 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 4V | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2V | ||
Maximální ztrátový výkon 300 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V | ||
Šířka 4.83mm | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Délka 10.67mm | ||
Maximální pracovní teplota +175 °C | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 180 nC při 10 V | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Výška 16.51mm | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MX
Automobilový průmysl, N-Channel, MOSFET Infineon
Komplexní portfolio zařízení N-channel s podporou technologie AECQ-101, které Infineon má kapacitu pro automobilový průmysl, řeší v mnoha aplikacích širokou škálu požadavků na napájení. Tato řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje N-kanálové zařízení v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarových faktorech, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: HEXFETMOSFET AUIRFB3207 N-kanálový 170 A 75 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRFZ44VPBF N-kanálový 55 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRF540NPBF N-kanálový 33 A 100 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET AUIRL3705N N-kanálový 89 A 55 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRFB4510PBF N-kanálový 62 A 100 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRFB23N15DPBF N-kanálový 23 A 150 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET AUIRFZ44N N-kanálový 31 A 55 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRFB4115GPBF N-kanálový 104 A 150 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
