řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 190 A 40 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 145-9431
- Výrobní číslo:
- IRF1404ZPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
1 748,75 Kč
(bez DPH)
2 116,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 650 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 34,975 Kč | 1 748,75 Kč |
| 100 - 200 | 33,226 Kč | 1 661,30 Kč |
| 250 - 450 | 31,828 Kč | 1 591,40 Kč |
| 500 - 1200 | 29,729 Kč | 1 486,45 Kč |
| 1250 + | 27,98 Kč | 1 399,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 145-9431
- Výrobní číslo:
- IRF1404ZPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 190A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 100nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 220W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.54mm | |
| Výška | 8.77mm | |
| Šířka | 4.69mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 190A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 100nC | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 220W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.54mm | ||
Výška 8.77mm | ||
Šířka 4.69mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFETy Infineon řady HEXFET, 180 A maximální trvalý proud na drenáži, 40 V maximální napětí zdroje na drenáži - IRF1404ZPBF
Tento tranzistor MOSFET je vysoce výkonná výkonová součástka určená pro různé aplikace v automobilovém a průmyslovém odvětví. Díky robustnímu trvalému proudu 180 A a maximálnímu napětí 40 V vyniká v náročných podmínkách. Obal TO-220AB usnadňuje montáž a zajišťuje efektivní integraci do elektronických obvodů a systémů.
Charakteristiky a výhody
• Využívá technologii HEXFET pro zvýšení účinnosti
• Navrženo pro režim vylepšení pro optimalizaci přepínání
• Poskytuje vysokou rychlost přepínání pro zvýšení celkové efektivity
• Schopnost opakovaného lavinování pro zvýšení spolehlivosti
Aplikace
• Ideální pro použití v řídicích obvodech motorů
• Používá se v napájecích zdrojích a měničích
• Určeno pro použití v automobilovém průmyslu
• Vhodné pro různé systémy průmyslové automatizace
• Efektivní správa napájení a spínání
Jaký přínos má nízký odpor při zapnutí pro mé aplikace?
Nízký zapínací odpor 2,7 mΩ snižuje ztráty při vedení, čímž zlepšuje celkovou účinnost v systémech konverze energie a řízení spotřeby.
Co se stane, pokud zařízení překročí svou maximální provozní teplotu?
Překročení maximální provozní teploty +175 °C může vést ke zhoršení výkonu a případnému selhání, což zdůrazňuje potřebu odpovídajícího tepelného managementu.
Lze jej použít v paralelních konfiguracích?
Ano, při použití v paralelních konfiguracích je zásadní vyvážit sdílení proudu mezi zařízeními, aby se zabránilo přehřátí a maximalizoval se výkon.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRF1404ZPBF N-kanálový 190 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 190 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFS4010TRL7PP N-kanálový 190 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 210 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 75 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 140 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 270 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení