řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 97 A 100 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 145-9198
- Výrobní číslo:
- IRFB4410ZPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
893,15 Kč
(bez DPH)
1 080,70 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 300 jednotka(y) budou odesílané od 14. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 17,863 Kč | 893,15 Kč |
| 100 - 200 | 14,682 Kč | 734,10 Kč |
| 250 - 450 | 14,499 Kč | 724,95 Kč |
| 500 - 950 | 14,326 Kč | 716,30 Kč |
| 1000 + | 14,158 Kč | 707,90 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 145-9198
- Výrobní číslo:
- IRFB4410ZPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 97A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 9mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 83nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 230W | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.66mm | |
| Šířka | 4.82mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 9.02mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 97A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 9mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 83nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 230W | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.66mm | ||
Šířka 4.82mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 9.02mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistor MOSFET Infineon řady HEXFET, maximální zdrojové napětí vypouštění 100 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 97 A – IRFB4410ZPBF
Tento MOSFET je vysokovýkonový spínací tranzistor navržený pro montáž do průchozího otvoru v sestavách výkonové elektroniky. Funguje jako vylepšovací zařízení s N-kanálem, které je schopno zvládat významný nepřetržitý vypouštěcí proud a vysoké vypouštěcí napětí zdroje v širokém rozsahu okolního prostředí, díky čemuž je vhodné pro náročná tepelná prostředí a konvenční uspořádání chladičů.
Charakteristiky a výhody:
• Napětí drain-source 100 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• Stálý proud 97 A podporuje aplikace s vysokým zatížením
• Rds(on) 9 mΩ minimalizuje ztráty při vedení během provozu
• Rozptýlení výkonu 230 W umožňuje trvale vysoký výkon
• Typický náboj hradla 83 nC zajišťuje předvídatelnou spínací energii
• Tolerance hradla 20 V umožňuje robustní rozpětí hradlového pohonu
• Stálý proud 97 A podporuje aplikace s vysokým zatížením
• Rds(on) 9 mΩ minimalizuje ztráty při vedení během provozu
• Rozptýlení výkonu 230 W umožňuje trvale vysoký výkon
• Typický náboj hradla 83 nC zajišťuje předvídatelnou spínací energii
• Tolerance hradla 20 V umožňuje robustní rozpětí hradlového pohonu
Aplikace
• Vhodné pro průmyslové stupně měničů s pohonem motoru
• Ideální pro vysokoproudé měniče DC/DC a napájecí zdroje
• Používá se pro spínání napájení v telekomunikacích a serverových zdrojích
• Lze použít pro systémy pro správu a nabíjení baterií
• Vhodné pro laboratorní prototypy napájecí elektroniky
• Ideální pro vysokoproudé měniče DC/DC a napájecí zdroje
• Používá se pro spínání napájení v telekomunikacích a serverových zdrojích
• Lze použít pro systémy pro správu a nabíjení baterií
• Vhodné pro laboratorní prototypy napájecí elektroniky
Jaký typ pouzdra je k dispozici pro montáž a chlazení?
Dodává se v pouzdru s průchozím otvorem TO-220, který usnadňuje bezpečnou montáž na desku plošných spojů a snadné upevnění k chladiču pro řízení teploty.
Jaké úvahy o pohonu hradla bych měl vzít v úvahu pro spínací výkon?
Očekávat typický celkový náboj hradla 83 nC při standardním napětí hradla
navrhování ovladačů hradla pro zdroj a odvod dostatečného proudu pro splnění cílových spínacích rychlostí při správě spínacích ztrát.
Jak rozsah teplot spoje ovlivňuje nasazení?
Zařízení je určeno pro provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C, což umožňuje použití v aplikacích s širokým rozsahem okolních a spojovacích teplot, pokud je použita odpovídající tepelná konstrukce.
Jaké je napětí ve směru vedení a jeho důsledky?
Napětí přímé vedení je za specifikovaných podmínek 1,3 V, což přispívá k výpočtu celkových ztrát při vedení při měření rozpočtu teploty a výkonu.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRFB4410ZPBF N-kanálový 97 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 97 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF100B202 Typ N-kanálový 97 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 97 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFS4410ZTRLPBF N-kanálový 97 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 210 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 75 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 140 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení