řada: HEXFETMOSFET IRFS3306PBF N-kanálový 160 A 60 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 145-8610
- Výrobní číslo:
- IRFS3306PBF
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
3 016,55 Kč
(bez DPH)
3 650,05 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 + | 60,331 Kč | 3 016,55 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 145-8610
- Výrobní číslo:
- IRFS3306PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 160 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 60 V | |
| Series | HEXFET | |
| Typ balení | DPAK (TO-252) | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 4 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 4V | |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 2V | |
| Maximální ztrátový výkon | 230 W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -20 V, +20 V | |
| Šířka | 9.65mm | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Délka | 4.06mm | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 85 nC při 10 V | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Maximální pracovní teplota | +175 °C | |
| Výška | 14.61mm | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 160 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 60 V | ||
Series HEXFET | ||
Typ balení DPAK (TO-252) | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 4 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 4V | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2V | ||
Maximální ztrátový výkon 230 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V | ||
Šířka 9.65mm | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Délka 4.06mm | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 85 nC při 10 V | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Maximální pracovní teplota +175 °C | ||
Výška 14.61mm | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MX
Související odkazy
- řada: HEXFETMOSFET IRLR7821PBF N-kanálový 65 A 30 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRLR120NTRPBF N-kanálový 10 A 100 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRFR3707ZTRPBF N-kanálový 56 A 30 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRFR4620PBF N-kanálový 24 A 200 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRLR3110ZTRLPBF N-kanálový 63 A 100 V počet kolíků: 3
- MOSFET 2SK2926L-E N-kanálový 60 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET FQD7P06TM P-kanálový 5.4 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET NTD5865NG N-kanálový 43 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si