řada: QFET MOSFET Typ N-kanálový 23 A 600 V onsemi, TO-3PN, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

3 518,52 Kč

(bez DPH)

4 257,42 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 360 jednotka(y) budou odesílané od 20. dubna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 30117,284 Kč3 518,52 Kč
60 +110,253 Kč3 307,59 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
145-5360
Výrobní číslo:
FQA24N60
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

23A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Řada

QFET

Typ balení

TO-3PN

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

240mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

310W

Přímé napětí Vf

1.4V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

110nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

18.9mm

Normy/schválení

No

Délka

15.8mm

Automobilový standard

Ne

QFET® N-Channel MOSFET, 11A až 30A, Fairchild Semiconductor


Nové planetární tranzistory MOSFET® společnosti Fairchild Semiconductor využívají Advanced, patentovanou technologii, která nabízí nejlepší provozní výkon ve své třídě pro širokou řadu aplikací, včetně napájecích zdrojů, PFC (korekce účiníku), DC-DC převodníků, plazmových panelů displeje (PDP), světelné předřadníky a ovládání pohybu.

Nabízejí snížení ztrát ve stavu snížením odporu (RDS(on)) a snížení ztráty spínání snížením nabití brány (QG) a kapacity výstupu (Coss). Díky Advanced procesní technologii QFET® může Fairchild nabídnout lepší hodnotu oproti konkurenčním planetovým zařízením MOSFET.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy