řada: QFET MOSFET FQPF19N20C Typ N-kanálový 19 A 200 V onsemi, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

952,45 Kč

(bez DPH)

1 152,45 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 550 jednotka(y) budou odesílané od 02. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
50 - 5019,049 Kč952,45 Kč
100 +17,906 Kč895,30 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
145-4534
Výrobní číslo:
FQPF19N20C
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

19A

Maximální napětí na zdroji Vds

200V

Typ balení

TO-220

Řada

QFET

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

170mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

40.5nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

43W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

30 V

Přímé napětí Vf

1.5V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Výška

9.19mm

Šířka

4.7 mm

Délka

10.16mm

Automobilový standard

Ne

QFET® N-Channel MOSFET, 11A až 30A, Fairchild Semiconductor


Nové planetární tranzistory MOSFET® společnosti Fairchild Semiconductor využívají Advanced, patentovanou technologii, která nabízí nejlepší provozní výkon ve své třídě pro širokou řadu aplikací, včetně napájecích zdrojů, PFC (korekce účiníku), DC-DC převodníků, plazmových panelů displeje (PDP), světelné předřadníky a ovládání pohybu.

Nabízejí snížení ztrát ve stavu snížením odporu (RDS(on)) a snížení ztráty spínání snížením nabití brány (QG) a kapacity výstupu (Coss). Díky Advanced procesní technologii QFET® může Fairchild nabídnout lepší hodnotu oproti konkurenčním planetovým zařízením MOSFET.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy