řada: TrenchFET MOSFET SIRA90DP-T1-RE3 N-kanálový 100 A 30 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 134-9165
- Výrobní číslo:
- SIRA90DP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (3000 jednotky/-ek, v kotouči po 3000 ks)*
50 307,00 Kč
(bez DPH)
60 870,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 3 000 jednotka(y) budou odesílané od 29. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 + | 16,769 Kč | 50 307,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 134-9165
- Výrobní číslo:
- SIRA90DP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 100A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.15mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 102nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 104W | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 5.26mm | |
| Výška | 1.12mm | |
| Délka | 6.25mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SO-8 | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.15mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 102nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 104W | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 5.26mm | ||
Výška 1.12mm | ||
Délka 6.25mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel MOSFET, TrenfET Gen IV, Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: TrenchFET MOSFET SIRA90DP-T1-RE3 N-kanálový 100 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SiR570DP-T1-RE3 N-kanálový 77.4 A 150 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Si7454FDP-T1-RE3 N-kanálový 23.5 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SiR450DP-T1-RE3 N-kanálový 113 A 45 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIR668DP-T1-RE3 N-kanálový 65 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIR680DP-T1-RE3 N-kanálový 100 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SiR876BDP-T1-RE3 N-kanálový 51.4 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SiR510DP-T1-RE3 N-kanálový 126 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení