řada: RYC002N05 MOSFET RYC002N05T316 N-kanálový 200 mA 50 V ROHM, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 133-2856
- Výrobní číslo:
- RYC002N05T316
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 100 kusech)*
337,90 Kč
(bez DPH)
408,90 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 3,379 Kč | 337,90 Kč |
| 500 - 900 | 3,038 Kč | 303,80 Kč |
| 1000 - 4900 | 2,766 Kč | 276,60 Kč |
| 5000 - 9900 | 2,384 Kč | 238,40 Kč |
| 10000 + | 2,314 Kč | 231,40 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 133-2856
- Výrobní číslo:
- RYC002N05T316
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 200mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 50V | |
| Řada | RYC002N05 | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 9Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 26nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 350mW | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 8V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 3.1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 1.5mm | |
| Výška | 1.15mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 200mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 50V | ||
Řada RYC002N05 | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 9Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 26nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 350mW | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 8V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 3.1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 1.5mm | ||
Výška 1.15mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistory MOSFET N-Channel, ROHM
Tranzistory MOSFET, ROHM Semiconductor
Související odkazy
- řada: BSS670 MOSFET N-kanálový 650 A 60 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: BSS670 MOSFET BSS670T116 N-kanálový 650 A 60 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RK7002BM MOSFET Typ N-kanálový 0.25 A 60 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RK7002BM MOSFET RK7002BMT116 Typ N-kanálový 0.25 A 60 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET BSS138BKAHZGT116 N-kanálový 400 mA 60 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RUC MOSFET N-kanálový 200 mA 50 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: RUC MOSFET RUC002N05HZGT116 N-kanálový 200 mA 50 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový
- MOSFET N-kanálový 4.5 A 30 V ROHM počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
