řada: HEXFET MOSFET IRLB8314PBF Typ N-kanálový 171 A 30 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 130-1015
- Výrobní číslo:
- IRLB8314PBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
281,83 Kč
(bez DPH)
341,01 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 140 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 790 jednotka(y) budou odesílané od 27. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 28,183 Kč | 281,83 Kč |
| 100 - 240 | 21,983 Kč | 219,83 Kč |
| 250 - 490 | 20,60 Kč | 206,00 Kč |
| 500 - 990 | 19,167 Kč | 191,67 Kč |
| 1000 + | 17,784 Kč | 177,84 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 130-1015
- Výrobní číslo:
- IRLB8314PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 171A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.2mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 40nC | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 125W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.67mm | |
| Výška | 16.51mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 171A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.2mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 40nC | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 125W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.67mm | ||
Výška 16.51mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Řada Infineon diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech. A tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s uspořádáním desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 171 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 171 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 104 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 110 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 60 A 250 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 160 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení