řada: HEXFET MOSFET IRF9362TRPBF Typ P-kanálový 8 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2 Duální
- Skladové číslo RS:
- 130-0970
- Výrobní číslo:
- IRF9362TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
161,05 Kč
(bez DPH)
194,875 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 150 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 6,442 Kč | 161,05 Kč |
| 125 - 225 | 5,029 Kč | 125,73 Kč |
| 250 - 600 | 4,703 Kč | 117,58 Kč |
| 625 - 1225 | 4,377 Kč | 109,43 Kč |
| 1250 + | 4,061 Kč | 101,53 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 130-0970
- Výrobní číslo:
- IRF9362TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SOIC | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 32mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 13nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 5mm | |
| Výška | 1.5mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SOIC | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 32mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 13nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Konfigurace tranzistoru Duální | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 5mm | ||
Výška 1.5mm | ||
Normy/schválení No | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Řada Infineon diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech. A tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s uspořádáním desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 8 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2 Duální
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 8.1 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2 Duální
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 9.1 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2 Duální
- řada: HEXFET MOSFET IRF7907TRPBF Typ N-kanálový 9.1 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2 Duální
- řada: HEXFET MOSFET IRL6372TRPBF Typ N-kanálový 8.1 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2 Duální
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 21 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 1 Duální
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 6.6 A 20 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 1 Duální
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 16 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení