řada: Polar HiPerFET MOSFET IXFN200N10P Typ N-kanálový 200 A 100 V IXYS, SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 125-8040
- Výrobní číslo:
- IXFN200N10P
- Výrobce:
- IXYS
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
816,83 Kč
(bez DPH)
988,36 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 179 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 546 jednotka(y) budou odesílané od 28. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 1 | 816,83 Kč |
| 2 - 4 | 734,58 Kč |
| 5 - 9 | 696,79 Kč |
| 10 - 19 | 624,91 Kč |
| 20 + | 609,35 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 125-8040
- Výrobní číslo:
- IXFN200N10P
- Výrobce:
- IXYS
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | IXYS | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 200A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | Polar HiPerFET | |
| Typ balení | SOT-227 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 7.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 235nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 680W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 38.23mm | |
| Výška | 9.6mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka IXYS | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 200A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada Polar HiPerFET | ||
Typ balení SOT-227 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 7.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 235nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 680W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 38.23mm | ||
Výška 9.6mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™
Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS
Tranzistory MOSFET, IXYS
Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS
Související odkazy
- řada: Polar HiPerFET MOSFET Typ N-kanálový 200 A 100 V IXYS počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení