řada: Polar HiPerFET MOSFET IXFN200N10P Typ N-kanálový 200 A 100 V IXYS, SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

712,84 Kč

(bez DPH)

862,54 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 58 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 676 jednotka(y) budou odesílané od 07. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 1712,84 Kč
2 - 4640,72 Kč
5 - 9607,87 Kč
10 - 19545,38 Kč
20 +531,79 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
125-8040
Výrobní číslo:
IXFN200N10P
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

200A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Typ balení

SOT-227

Řada

Polar HiPerFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

7.5mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

680W

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

235nC

Přímé napětí Vf

1.5V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

No

Délka

38.23mm

Výška

9.6mm

Automobilový standard

Ne

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™


Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS

Tranzistory MOSFET, IXYS


Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS

Související odkazy