MPN

řada: C3M MOSFET C3M0065100K Typ N-kanálový 35 A 1 kV Wolfspeed, TO-247, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 125-3453
Výrobní číslo:: C3M0065100K
Výrobce:: Wolfspeed

řada: C3M MOSFET C3M0065100K Typ N-kanálový 35 A 1 kV Wolfspeed, TO-247, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

499,68 Kč

(bez DPH)

604,61 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Poslední zásoby RS

Plus 3 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
Konečné odeslání 1 233 jednotky (jednotek) od 15. června 2026

Ks	za jednotku
1 - 24	499,68 Kč
25 - 74	456,21 Kč
75 - 149	443,61 Kč
150 +	433,24 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 125-3453
Výrobní číslo:: C3M0065100K
Výrobce:: Wolfspeed

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Wolfspeed
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	35A
	Maximální napětí na zdroji Vds	1kV
	Řada	C3M
	Typ balení	TO-247
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	4
	Maximální odpor zdroje Rds	90mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	35nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	4.5V
	Maximální ztrátový výkon Pd	113.5W
	Maximální provozní teplota	150°C
	Délka	16.13mm
	Normy/schválení	No
	Výška	23.6mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Wolfspeed
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 35A
	Maximální napětí na zdroji Vds 1kV
	Řada C3M
	Typ balení TO-247
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 4
	Maximální odpor zdroje Rds 90mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 35nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf 4.5V
	Maximální ztrátový výkon Pd 113.5W
	Maximální provozní teplota 150°C
	Délka 16.13mm
	Normy/schválení No
	Výška 23.6mm
	Automobilový standard Ne

Silicon Carbide Power MOSFET, řada C3M, Cree Inc.

Nová technologie MOSFET C3M Silicon Carbide (SiC)

Minimální napětí 1000 V Drain-Source Breakdown v celém rozsahu provozní teploty

Nová sada s nízkou impedancí se zdrojem ovladače

8 mm prosakování/vůle mezi výpustným otvorem a zdrojem

Vysokorychlostní spínání s nízkou kapacitou na výstupu

Vysoké blokovací napětí s nízkým stejnosměrným stavovým odporem

Lavinová robustnost

Rychlá vnitřní dioda s nízkou obnovou jízdy vzad

Tranzistory MOSFET, Cree Inc.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.