řada: HEXFET MOSFET IRFP3306PBF N-kanálový 160 A 60 V Infineon, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 124-9011
- Výrobní číslo:
- IRFP3306PBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 25 kusech)*
767,43 Kč
(bez DPH)
928,58 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 30,697 Kč | 767,43 Kč |
| 50 - 100 | 25,787 Kč | 644,68 Kč |
| 125 - 225 | 24,769 Kč | 619,23 Kč |
| 250 - 475 | 24,473 Kč | 611,83 Kč |
| 500 + | 24,176 Kč | 604,40 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 124-9011
- Výrobní číslo:
- IRFP3306PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 160A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 85nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 220W | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 15.87mm | |
| Výška | 20.7mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 5.31mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 160A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 85nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 220W | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 15.87mm | ||
Výška 20.7mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 5.31mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MX
Řízení motoru a synchronní snižovací tranzistor MOSFET AC-DC, Infineon
Ovládání MOTORU MOSFET
Společnost Infineon nabízí komplexní portfolio robustních zařízení MOSFET typu N-channel a P-channel pro aplikace řízení motorů.
Synchronní usměrňovač MOSFET
Portfolio synchronních zařízení MOSFET pro napájecí zdroje AC-DC podporuje požadavky zákazníků na vyšší hustotu energie, menší velikost, větší přenosnost a flexibilnější systémy.
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 160 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 160 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFP1405PBF N-kanálový 160 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 44 A 250 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 57 A 250 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 93 A 250 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 78 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 350 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení