řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 104 A 150 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 124-9005
- Výrobní číslo:
- IRFB4115PBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
1 691,45 Kč
(bez DPH)
2 046,65 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 650 jednotka(y) budou odesílané od 05. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 33,829 Kč | 1 691,45 Kč |
| 100 - 200 | 28,42 Kč | 1 421,00 Kč |
| 250 + | 27,457 Kč | 1 372,85 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 124-9005
- Výrobní číslo:
- IRFB4115PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 104A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 150V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 11mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 380W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 77nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.67mm | |
| Výška | 9.02mm | |
| Šířka | 4.83mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 104A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 150V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 11mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 380W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 77nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.67mm | ||
Výška 9.02mm | ||
Šířka 4.83mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MX
Tranzistor MOSFET Infineon řady HEXFET, maximální zdrojové napětí vypouštění 150 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 104 A – IRFB4115PBF
Tento MOSFET je vysoce výkonné N-kanálové vylepšovací zařízení navržené pro spínací a výkonové převody v náročných elektronických systémech. Pracuje v širokém tepelném rozsahu, který je vhodný pro náročná prostředí, a je dodáván v pouzdru TO-220 s průchozím otvorem pro snadné chladení a montáž. Zařízení zajišťuje značnou schopnost nepřetržitého odběru proudu a je určeno pro aplikace vyžadující efektivní manipulaci s vysokým proudem a rychlé spínání.
Charakteristiky a výhody:
• Maximální vypouštěcí napětí 150 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 104 A podporuje manipulaci s velkou zátěží
• Nízká hodnota RDS(on) 11 mΩ minimalizuje ztráty při vedení při vysokém proudu
• Rozptýlení výkonu 380 W umožňuje trvalé tepelné zatížení
• Typický náboj hradla 77 nC umožňuje rychlé přepínání
• Proudové napětí 1.3 V snižuje pokles vodivosti diody
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 104 A podporuje manipulaci s velkou zátěží
• Nízká hodnota RDS(on) 11 mΩ minimalizuje ztráty při vedení při vysokém proudu
• Rozptýlení výkonu 380 W umožňuje trvalé tepelné zatížení
• Typický náboj hradla 77 nC umožňuje rychlé přepínání
• Proudové napětí 1.3 V snižuje pokles vodivosti diody
Aplikace
• Vhodné pro ovladače motorů Infineon HEXFET 150V MOSFET TO-220
• Ideální pro MOSFET 150 V 104 A pro spínané napájecí zdroje
• Používá se s vysoce výkonnými N-kanálovými zesilovacími obvody MOSFET
• Lze použít pro 380W výkonové stupně MOSFET s průchozím otvorem TO-220
• Ideální pro MOSFET 150 V 104 A pro spínané napájecí zdroje
• Používá se s vysoce výkonnými N-kanálovými zesilovacími obvody MOSFET
• Lze použít pro 380W výkonové stupně MOSFET s průchozím otvorem TO-220
Jaké limity napětí hradla by měli konstruktéři dodržovat?
Jmenovitá hodnota od brány k zdroji je ±20 V, takže budicí obvody musí udržovat VGS v tomto rozsahu, aby se zabránilo poškození brány.
Jak se zařízení chová při extrémních teplotách?
Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C, což zajišťuje zachování elektrických vlastností v těchto okolních a spojovacích podmínkách.
Jaké úvahy se týkají montáže a počtu kolíků?
Součást má tři kolíky a je určena pro montáž do průchozího otvoru ve formátu TO-220, což usnadňuje bezpečné upevnění chladiče.
Jaký kanál a režim vedení používá?
Jedná se o zařízení s N-kanálem pracující v režimu zesílení, které vyžaduje kladnou hradlu vzhledem ke zdroji pro zapnutí.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRFB4115PBF N-kanálový 104 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 35 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 51 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 85 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 43 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 150 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 83 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFB52N15DPBF N-kanálový 51 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení