AEC-Q100, řada: ZXMN6A09G MOSFET N-kanálový 7.5 A 60 V DiodesZetex, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 122-0612
- Výrobní číslo:
- ZXMN6A09GTA
- Výrobce:
- DiodesZetex
Mezisoučet (1000 jednotky/-ek, v kotouči po 1000 ks)*
13 872,00 Kč
(bez DPH)
16 785,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 13 000 jednotka(y) budou odesílané od 05. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 1000 + | 13,872 Kč | 13 872,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 122-0612
- Výrobní číslo:
- ZXMN6A09GTA
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 7.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | SOT-223 | |
| Řada | ZXMN6A09G | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 60mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 3.9W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Přímé napětí Vf | 950mV | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 24.2nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1.8mm | |
| Šířka | 3.7mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 6.7mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q100 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 7.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení SOT-223 | ||
Řada ZXMN6A09G | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 60mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 3.9W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Přímé napětí Vf 950mV | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 24.2nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1.8mm | ||
Šířka 3.7mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 6.7mm | ||
Automobilový standard AEC-Q100 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- DE
N-Channel MOSFET, 40 V až 90 V, Diody Inc
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- AEC-Q100 SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový
- MOSFET ZXMP3A16GTA Typ P-kanálový 7.5 A 30 V počet kolíků: 3 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 1 Jednoduchý
- AEC-Q100 MOSFET N-kanálový 7 A 40 V DiodesZetex počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q100 MOSFET ZXMN4A06GTA N-kanálový 7 A 40 V DiodesZetex počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 3.8 A 70 V DiodesZetex počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: ZXMN10A25G MOSFET N-kanálový 4 A 100 V DiodesZetex počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 480 mA 240 V DiodesZetex počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: IntelliFET MOSFET N-kanálový 2.8 A 60 V DiodesZetex počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení