MPN

MOSFET DMN66D0LDW-7 N-kanálový 115 mA 60 V, SOT-363 (SC-88), počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	DiodesZetex
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	115 mA
	Maximální napětí kolektor/zdroj	60 V
	Typ balení	SOT-363 (SC-88)
	Typ montáže	Povrchová montáž
	Počet kolíků	6
	Maximální odpor kolektor/zdroj	6 Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	2V
	Maximální ztrátový výkon	250 mW
	Konfigurace tranzistoru	Izolovaný
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
	Počet prvků na čip	2
	Šířka	1.35mm
	Materiál tranzistoru	Si
	Délka	2.2mm
	Maximální pracovní teplota	+150 °C
	Minimální provozní teplota	-55 °C
	Výška	1mm

	Vybrat vše
	Značka DiodesZetex
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 115 mA
	Maximální napětí kolektor/zdroj 60 V
	Typ balení SOT-363 (SC-88)
	Typ montáže Povrchová montáž
	Počet kolíků 6
	Maximální odpor kolektor/zdroj 6 Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 2V
	Maximální ztrátový výkon 250 mW
	Konfigurace tranzistoru Izolovaný
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V
	Počet prvků na čip 2
	Šířka 1.35mm
	Materiál tranzistoru Si
	Délka 2.2mm
	Maximální pracovní teplota +150 °C
	Minimální provozní teplota -55 °C
	Výška 1mm

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.