řada: MDmesh DM2 MOSFET STW48N60DM2 N-kanálový 40 A 600 V STMicroelectronics, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 111-6484P
- Výrobní číslo:
- STW48N60DM2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
1 361,00 Kč
(bez DPH)
1 646,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 464 jednotka(y) budou odesílané od 14. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 10 - 99 | 136,10 Kč |
| 100 + | 134,62 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 111-6484P
- Výrobní číslo:
- STW48N60DM2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 40A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | MDmesh DM2 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 79mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 300W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -25V, +25V | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 15.75mm | |
| Šířka | 5.15mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 20.15mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 40A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada MDmesh DM2 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 79mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 300W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -25V, +25V | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 15.75mm | ||
Šířka 5.15mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 20.15mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101