řada: CoolMOS P6 MOSFET IPW60R190P6FKSA1 Typ N-kanálový 20 A 650 V Infineon, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 110-9099
- Výrobní číslo:
- IPW60R190P6FKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
366,05 Kč
(bez DPH)
442,90 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- Plus 60 jednotka(y) budou odesílané od 05. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 73,21 Kč | 366,05 Kč |
| 25 - 45 | 58,588 Kč | 292,94 Kč |
| 50 - 120 | 54,192 Kč | 270,96 Kč |
| 125 - 245 | 50,486 Kč | 252,43 Kč |
| 250 + | 46,88 Kč | 234,40 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 110-9099
- Výrobní číslo:
- IPW60R190P6FKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 20A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | CoolMOS P6 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 190mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 151W | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 37nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 21.1mm | |
| Délka | 16.13mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 5.21 mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 20A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada CoolMOS P6 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 190mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 151W | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 37nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 21.1mm | ||
Délka 16.13mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 5.21 mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon CoolMOS™E6/P6 - výkonový MOSFET
Řada Infineon MOSFET řady CoolMOS ™ E6 a P6. Tato vysoce účinná zařízení lze používat v několika aplikacích, včetně korekce účiníku (PFC), osvětlení a spotřebního zařízení a také v solárních, telekomunikačních a serverech.
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: CoolMOS P6 MOSFET Typ N-kanálový 20 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P6 MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 109 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P6 MOSFET + Dioda IPW60R099P6XKSA1 Typ N-kanálový 109 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: CoolMOS P6 MOSFET Typ N-kanálový 53.5 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P6 MOSFET Typ N-kanálový 13.8 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P6 MOSFET Typ N-kanálový 37.9 A 650 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P6 MOSFET Typ N-kanálový 23.8 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P6 MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 87 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení