AEC-Q101, řada: OptiMOS 2 MOSFET BSS816NWH6327XTSA1 Typ N-kanálový 1.4 A 20 V Infineon, SC-70, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 110-7113
- Výrobní číslo:
- BSS816NWH6327XTSA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 balení po 300 kusech)*
469,50 Kč
(bez DPH)
568,20 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 31 500 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 300 + | 1,565 Kč | 469,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 110-7113
- Výrobní číslo:
- BSS816NWH6327XTSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 1.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | SC-70 | |
| Řada | OptiMOS 2 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 240mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 500mW | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 8V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 2mm | |
| Výška | 0.8mm | |
| Šířka | 1.25mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení SC-70 | ||
Řada OptiMOS 2 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 240mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 500mW | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 8V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 2mm | ||
Výška 0.8mm | ||
Šířka 1.25mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Řada výkonových MOSFET Infineon OptiMOS™2
Řada N-Channel společnosti Infineon nabízí nejnižší odolnost v terénu uvnitř napěťové skupiny. Řadu výkonových MOSFET lze použít v mnoha aplikacích, včetně vysokofrekvenčních telekomunikačních, datových center, solárních, nízkonapěťových jednotek a napájecích zdrojů serverů. Produktová řada OptiMOS 2 se pohybuje od 20 V a více a nabízí výběr různých typů balíčků.
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- AEC-Q101 SC-70, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 SC-70, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 SC-70, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SC-70, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení