řada: STripFET H7 Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 180 A 100 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 103-2008
- Výrobní číslo:
- STP310N10F7
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
4 067,85 Kč
(bez DPH)
4 922,10 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 50 jednotka(y) budou odesílané od 17. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 81,357 Kč | 4 067,85 Kč |
| 100 - 450 | 79,243 Kč | 3 962,15 Kč |
| 500 + | 77,291 Kč | 3 864,55 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 103-2008
- Výrobní číslo:
- STP310N10F7
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 180A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | STripFET H7 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.7mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 315W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | ±20 V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 180nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 4.6 mm | |
| Výška | 15.75mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 180A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada STripFET H7 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.7mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 315W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs ±20 V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 180nC | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 4.6 mm | ||
Výška 15.75mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.