řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 11 A 800 V STMicroelectronics, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 103-1986
- Výrobní číslo:
- STW11NM80
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*
2 409,72 Kč
(bez DPH)
2 915,76 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 120 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 30 - 60 | 80,324 Kč | 2 409,72 Kč |
| 90 - 480 | 64,179 Kč | 1 925,37 Kč |
| 510 - 960 | 57,106 Kč | 1 713,18 Kč |
| 990 - 4980 | 50,923 Kč | 1 527,69 Kč |
| 5010 + | 49,976 Kč | 1 499,28 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 103-1986
- Výrobní číslo:
- STW11NM80
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 11A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Řada | MDmesh | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 400mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 150W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 43.6nC | |
| Minimální provozní teplota | -65°C | |
| Přímé napětí Vf | 0.86V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 20.15mm | |
| Délka | 15.75mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 11A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Řada MDmesh | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 400mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 150W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 43.6nC | ||
Minimální provozní teplota -65°C | ||
Přímé napětí Vf 0.86V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 20.15mm | ||
Délka 15.75mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Nena-Channel MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: MDmesh MOSFET STW11NM80 Typ N-kanálový 11 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 11 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STP11NM80 Typ N-kanálový 11 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STF11NM80 Typ N-kanálový 11 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 20 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení