řada: mSiC Napájecí modul SiC MSCSM330AM15CD3NG N-kanálový 151 A 3.3 kV Microchip Režim vylepšení Poloviční můstek
- Skladové číslo RS:
- 854-516
- Výrobní číslo:
- MSCSM330AM15CD3NG
- Výrobce:
- Microchip
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Mezisoučet (1 jednotka)*
13 358,25 Kč
(bez DPH)
16 163,48 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 10. května 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 + | 13 358,25 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 854-516
- Výrobní číslo:
- MSCSM330AM15CD3NG
- Výrobce:
- Microchip
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Microchip | |
| Typ produktu | Napájecí modul SiC | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 151A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 3.3kV | |
| Řada | mSiC | |
| Typ montáže | Chladič | |
| Režim kanálu | Režim vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1013W | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Poloviční můstek | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Microchip | ||
Typ produktu Napájecí modul SiC | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 151A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 3.3kV | ||
Řada mSiC | ||
Typ montáže Chladič | ||
Režim kanálu Režim vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1013W | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Konfigurace tranzistoru Poloviční můstek | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Pokročilý napájecí modul Microchip SiC nabízí fázovou konstrukci s působivými jmenovitými hodnotami, která je určena především pro vysoce účinné aplikace v oblasti výkonové elektroniky, což zajišťuje spolehlivost a vynikající výkon v náročných podmínkách.
Integrované Schottkyho diody SiC zajišťují nulové zpětné zotavení pro snížené ztráty
Konstrukce zdroje Kelvin zjednodušuje uspořádání pohonu hradla
Robustní řízení teploty s vynikajícím tepelným odolností spoje k pouzdru
Vysoká spolehlivost a možnosti přímé montáže zajišťují bezproblémovou integraci
Související odkazy
- řada: mSiC Napájecí modul SiC MSCSM330AM15D3NG N-kanálový 151 A 3300 V Microchip Režim vylepšení Poloviční můstek
- řada: mSiC Napájecí modul SiC MSCSM330DUM07D3NG N-kanálový 295 A 3300 V Microchip Režim vylepšení Poloviční můstek
- řada: mSiC Napájecí modul SiC MSCSM330AM07D3NG N-kanálový 295 A 3300 V Microchip Režim vylepšení Poloviční můstek
- řada: mSiC Napájecí modul SiC MSCSM330DUM07CD3NG N-kanálový 295 A 3300 V Microchip Režim vylepšení Poloviční můstek
- řada: mSiC Napájecí modul SiC MSCSM330AM07CD3NG N-kanálový 295 A 3300 V Microchip Režim vylepšení Poloviční můstek
- Vyhodnocovací deska EVAL1ED3144MC12HSICTOBO1 Budič s polovičním můstkem Infineon EVAL-1ED3144MC12H-SIC, pro použití s:
- Vyhodnocovací deska EVAL1ED3145MC12HSICTOBO1 Budič s polovičním můstkem Infineon EVAL-1ED3145MC12H-SIC, pro použití s:
- Vyhodnocovací deska EVAL1ED3142MC12HSICTOBO1 Budič s polovičním můstkem Infineon EVAL-1ED3142MC12H-SIC, pro použití s:
