AEC-Q101, řada: TrenchFET Výkonový MOSFET SIHK031N60AE-T1GE3 N-kanálový 63 A 650 V Vishay, PowerPAK, počet kolíků: 8

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 páska po 1 kusu)*

204,82 Kč

(bez DPH)

247,83 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 12. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

páska, -y
za pásku
1 - 9204,82 Kč
10 - 49127,11 Kč
50 - 9977,13 Kč
100 +75,11 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
851-497
Výrobní číslo:
SIHK031N60AE-T1GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

N

Typ produktu

Výkonový MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

63A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Typ balení

PowerPAK

Řada

TrenchFET

Typ montáže

Povrchová montáž

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

0.04Ω

Maximální ztrátový výkon Pd

375W

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Šířka

5.25mm

Normy/schválení

AEC-Q101 Qualified

Výška

1.04mm

Délka

6.05mm

Automobilový standard

AEC-Q101

Země původu (Country of Origin):
KR
Výkonový MOSFET Vishay je navržen pro vysoce výkonné spínací aplikace a nabízí efektivní řízení elektrických zátěží s vynikající účinností a nízkými ztrátami energie.

Využívá technologii řady E čtvrté generace pro vyšší výkon

Nabízí nízký odpor v zapnutém stavu, což snižuje rozptýlení energie

Schopný zvládnout vysokou efektivní kapacitu pro spolehlivý provoz

Zajišťuje výrazné snížení ztrát při spínání i vedení

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.