AEC-Q101, řada: MaxSiC MOSFET MXPQ120A045SE-1GE3 N-kanálový 52 A 1200 V Vishay, TO-263-7L, počet kolíků: 7 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 790-411
- Výrobní číslo:
- MXPQ120A045SE-1GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
277,38 Kč
(bez DPH)
335,63 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 19. dubna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 277,38 Kč |
| 10 - 99 | 206,49 Kč |
| 100 - 499 | 172,16 Kč |
| 500 - 799 | 153,63 Kč |
| 800 + | 150,67 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 790-411
- Výrobní číslo:
- MXPQ120A045SE-1GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 52A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Typ balení | TO-263-7L | |
| Řada | MaxSiC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 45mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 82nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 268W | |
| Přímé napětí Vf | 4.9V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 22V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 4.5mm | |
| Délka | 9.23mm | |
| Šířka | 10.28mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 52A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Typ balení TO-263-7L | ||
Řada MaxSiC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 7 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 45mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 82nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 268W | ||
Přímé napětí Vf 4.9V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 22V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 4.5mm | ||
Délka 9.23mm | ||
Šířka 10.28mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- TW
N-kanálový SiC MOSFET Vishay 1200 V je navržen pro náročné napájecí aplikace a kombinuje rychlost, spolehlivost a shodu. Jeho pokročilá konstrukce zajišťuje efektivní výkon při splnění přísných automobilových a environmentálních norem.
Certifikace AEC-Q101 pro spolehlivost pro automobilový průmysl
Rychlé spínání pro vyšší účinnost
Bez obsahu halogenů pro bezpečnější a ekologické použití
Související odkazy
- řada: MaxSiC MOSFET MXP120A063SE-T1GE3 N-kanálový 41 A 1200 V Vishay počet kolíků: 7 kolíkový N
- řada: MaxSiC MOSFET MXP120A080SE-T1GE3 N-kanálový 32 A 1200 V Vishay počet kolíků: 7 kolíkový N
- řada: MXP Výkonové polovodiče MXP120A045SE-T1GE3 N-kanálový 52 A 1200 V Vishay počet kolíků: 7 kolíkový N
- řada: SUM MOSFET SUM70042M-GE3 N-kanálový 150 A 100 V Vishay počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: MaxSiC MOSFET MXP120A063SL-GE3 N-kanálový 41 A 1200 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový N
- řada: MaxSiC MOSFET MXP120A080SL-GE3 N-kanálový 31 A 1200 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový N
- řada: UniFET MOSFET N-kanálový 52 A 200 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UniFET MOSFET FDB52N20TM N-kanálový 52 A 200 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení