AEC-Q101, řada: OptiMOS Výkonový MOSFET IAUZN04S7N020ATMA2 N kanál-kanálový 60 A 40 V Infineon, Páska a cívka, počet
- Skladové číslo RS:
- 762-969
- Výrobní číslo:
- IAUZN04S7N020ATMA2
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
15,89 Kč
(bez DPH)
19,23 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 5 000 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 24 | 15,89 Kč |
| 25 - 99 | 13,58 Kč |
| 100 - 499 | 10,11 Kč |
| 500 + | 8,09 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 762-969
- Výrobní číslo:
- IAUZN04S7N020ATMA2
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | N kanál | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 60A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ balení | Páska a cívka | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 83W | |
| Přímé napětí Vf | 0.95V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 2.29mm | |
| Výška | 1.1mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 2.29mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu N kanál | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 60A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ balení Páska a cívka | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 83W | ||
Přímé napětí Vf 0.95V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 2.29mm | ||
Výška 1.1mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 2.29mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Výkonový tranzistor Infineon Automotive MOSFET je MOSFET s N-kanálem a režimem zesílení navržený pro automobilové aplikace. Pracuje v podmínkách vysokých teplot a vyznačuje se robustní konstrukcí. Rozšířená kvalifikace nad rámec normy AEC-Q101.
Vylepšené elektrické testování
Robustní konstrukce
Vyhovuje RoHS
100% testováno Avalanche