řada: C Series Moduly MOSFET FF3MR12KM1HSHPSA1 N-kanálový 185 A 1200 V, AG-62MMHB Infineon, počet kolíků: 7 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

7 725,42 Kč

(bez DPH)

9 347,76 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 10 jednotka(y) budou odesílané od 14. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 97 725,42 Kč
10 +5 755,59 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
762-898
Výrobní číslo:
FF3MR12KM1HSHPSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

N

Typ produktu

Moduly MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

185A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Řada

C Series

Typ balení

AG-62MMHB

Typ montáže

Šroubová svorka

Počet kolíků

7

Maximální odpor zdroje Rds

4.62mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

20mW

Minimální provozní teplota

-40°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

2.65μC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

-23V

Přímé napětí Vf

6.25V

Maximální provozní teplota

175°C

Konfigurace tranzistoru

Poloviční můstek

Délka

106.4mm

Normy/schválení

RoHS Compliant

Šířka

61.4mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
HU
Modul Infineon CoolSiC Trench MOSFET s polovičním můstkem má jmenovité napětí 2000 V a podporuje vysokou hustotu proudu. Je vhodný pro systémy UPS, měniče DC/DC, vysokofrekvenční spínací aplikace, solární aplikace, systémy ukládání energie (ESS) a stejnosměrné nabíječky pro elektromobily.

Nízké spínací ztráty

Vysoká hustota proudu

Kvalifikace pro průmyslové aplikace

izolace 4 kV AC 1 min

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.