AEC-Q101, řada: AIMBG75R MOSFET AIMBG75R050M2HXTMA1 N kanál-kanálový 64 A 750 V Infineon, PG-TO263-7, počet kolíků: 7
- Skladové číslo RS:
- 762-870
- Výrobní číslo:
- AIMBG75R050M2HXTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
398,08 Kč
(bez DPH)
481,68 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 01. července 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 398,08 Kč |
| 10 - 24 | 358,21 Kč |
| 25 + | 294,66 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 762-870
- Výrobní číslo:
- AIMBG75R050M2HXTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N kanál | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 64A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 750V | |
| Řada | AIMBG75R | |
| Typ balení | PG-TO263-7 | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 31mΩ | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 234W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 169nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 23V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N kanál | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 64A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 750V | ||
Řada AIMBG75R | ||
Typ balení PG-TO263-7 | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 7 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 31mΩ | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 234W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 169nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 23V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Vysoce výkonný SiC MOSFET Infineon je navržen pro zvýšení účinnosti v automobilových aplikacích tím, že usnadňuje efektivní převod a řízení výkonu.
Využívá vysoce robustní technologii 750 V se 100% lavinovým testováním
Zajišťuje vynikající účinnost při tvrdém spínání a vysokých spínacích frekvencích
Nabízí nejlepší rozptyl tepla ve své třídě pro spolehlivý provoz
Zahrnuje integrovanou diodu ESD pro vyšší robustnost