řada: STWA60N0 Výkonový MOSFET STWA60N035M9 N kanál-kanálový 62 A 600 V STMicroelectronics, TO-247, počet kolíků: 3
- Skladové číslo RS:
- 762-554
- Výrobní číslo:
- STWA60N035M9
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
136,59 Kč
(bez DPH)
165,27 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 149 jednotka(y) budou odesílané od 10. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 136,59 Kč |
| 10 - 49 | 132,89 Kč |
| 50 - 99 | 128,69 Kč |
| 100 + | 110,66 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 762-554
- Výrobní číslo:
- STWA60N035M9
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | N kanál | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 62A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | STWA60N0 | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 35mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 112nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 321W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 15.9mm | |
| Délka | 21.1mm | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Výška | 5.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu N kanál | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 62A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada STWA60N0 | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 35mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 112nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 321W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 15.9mm | ||
Délka 21.1mm | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Výška 5.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET STMicroelectronics N-kanál Super Junction Power je vysoce účinné napájecí zařízení postavené na technologii Advanced MDmesh M9 Super Junction. Je navržen pro aplikace se středním až vysokým napětím, kde jsou kritické nízké ztráty vodivosti a rychlé spínání.
Velmi nízký FOM
Vyšší kapacita dv/dt
Vynikající spínací výkon
100% lavinový test
Související odkazy
- řada: ST MOSFET Typ N-kanálový 62 A 600 V počet kolíků: 4 kolíkový Vyčerpání
- řada: ST MOSFET STW70N60DM6-4 Typ N-kanálový 62 A 600 V počet kolíků: 4 kolíkový Vyčerpání
- MOSFET Typ N-kanálový 72 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET STWA75N60M6 Typ N-kanálový 72 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET Typ N-kanálový 62 A 600 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET TK62N60W TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET STWA75N60DM6 Typ N-kanálový 72 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový STMicroelectronics Vylepšení 1
- řada: ST MOSFET Typ N-kanálový 52 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání