řada: STWA60N0 Výkonový MOSFET STWA60N035M9 N-kanálový 62 A 600 V STMicroelectronics, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 762-554
- Výrobní číslo:
- STWA60N035M9
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 10 kusů a ušetřete 27%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
182,78 Kč
(bez DPH)
221,16 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 145 jednotka(y) budou odesílané od 16. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 182,78 Kč | - |
| 10 + | 133,13 Kč | 27% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 762-554
- Výrobní číslo:
- STWA60N035M9
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 62A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | STWA60N0 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 35mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 112nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 321W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Výška | 5.1mm | |
| Délka | 21.1mm | |
| Šířka | 15.9mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 62A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada STWA60N0 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 35mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 112nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 321W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Výška 5.1mm | ||
Délka 21.1mm | ||
Šířka 15.9mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET STMicroelectronics N-kanál Super Junction Power je vysoce účinné napájecí zařízení postavené na technologii Advanced MDmesh M9 Super Junction. Je navržen pro aplikace se středním až vysokým napětím, kde jsou kritické nízké ztráty vodivosti a rychlé spínání.
Velmi nízký FOM
Vyšší kapacita dv/dt
Vynikající spínací výkon
100% lavinový test
Související odkazy
- řada: ST MOSFET N-kanálový 62 A 600 V počet kolíků: 4 kolíkový Vyčerpání
- řada: ST MOSFET STW70N60DM6-4 N-kanálový 62 A 600 V počet kolíků: 4 kolíkový Vyčerpání
- MOSFET N-kanálový 72 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET N-kanálový 62 A 600 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET STWA75N60M6 N-kanálový 72 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET TK62N60W TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET N-kanálový 29 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh MOSFET N-kanálový 29 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení