řada: SiD MOSFET SIDR500EP-T1-RE3 N-kanálový 421 A 30 V Vishay, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 735-149
- Výrobní číslo:
- SIDR500EP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
121,28 Kč
(bez DPH)
146,75 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 04. února 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 121,28 Kč |
| 10 - 49 | 75,09 Kč |
| 50 - 99 | 58,29 Kč |
| 100 + | 42,98 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 735-149
- Výrobní číslo:
- SIDR500EP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 421A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | SiD | |
| Typ balení | PowerPAK SO-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.00047Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 30V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 120nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 16V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 150W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 6mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 7mm | |
| Výška | 2mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 421A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada SiD | ||
Typ balení PowerPAK SO-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.00047Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 30V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 120nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 16V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 150W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 6mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 7mm | ||
Výška 2mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- IL
N-kanálový MOSFET Vishay s jmenovitým napětím zdroje 60 V, optimalizovaný pro vysoce účinné spínání v převodnících DC/DC AI Power Server a synchronních usměrňovacích obvodech. Dosahuje velmi nízkého odporu při zapnutí maximálně 1,7 mΩ při pohonu hradla 10 V pro minimální ztráty vedení v aplikacích s vysokým proudem
Nepřetržitý vypouštěcí proud 94 A při TA = 25 °C
Typický celkový náboj hradla 54,3 nC pro rychlé přepínání
Rozšířený rozsah teplot spojení -55 °C až +175 °C
Související odkazy
- AEC-Q101 MOSFET SIDR500EP-T1-RE3 N-kanálový 421 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiD MOSFET SIDR402EP-T1-RE3 N-kanálový 291 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiD MOSFET SIDR626EP-T1-RE3 N-kanálový 227 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiD MOSFET SIDR5802EP-T1-RE3 N-kanálový 153 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiD MOSFET SIDR510EP-T1-RE3 N-kanálový 148 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SIR120DP-T1-RE3 N-kanálový 24.7 A 80 V Vishay, PowerPAK SO-8
- MOSFET SIR158DP-T1-RE3 N-kanálový 60 A 30 V počet kolíků: 8 Jednoduchý
- řada: SiR MOSFET SiR586DP-T1-RE3 N-kanálový 78.4 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový