AEC-Q101, řada: SQ3419CEV Jednoduché tranzistory MOSFET SQ3419CEV-T1_GE3 Typ P-kanálový 6.9 A -40 V Vishay, SOT-23,
- Skladové číslo RS:
- 653-161
- Výrobní číslo:
- SQ3419CEV-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
19 935,00 Kč
(bez DPH)
24 120,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 29. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 + | 6,645 Kč | 19 935,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 653-161
- Výrobní číslo:
- SQ3419CEV-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6.9A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | -40V | |
| Řada | SQ3419CEV | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Montáž na plošný spoj | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.092Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 11.3nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 5W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | AEC-Q101 | |
| Výška | 1.1mm | |
| Šířka | 2.98 mm | |
| Délka | 3.10mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6.9A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds -40V | ||
Řada SQ3419CEV | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Montáž na plošný spoj | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.092Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 11.3nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 5W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení AEC-Q101 | ||
Výška 1.1mm | ||
Šířka 2.98 mm | ||
Délka 3.10mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
MOSFET s P-kanálem pro automobilovou výrobu Vishay je navržen pro kompaktní nízkonapěťové spínací aplikace. Podporuje napětí zdroje odtoku až 40 V a pracuje při teplotě +175 °C, díky čemuž je vhodný pro náročné automobilové prostředí. V balení ve formátu TSOP-6 využívá technologii TrenchFET od společnosti Vishay pro poskytování nízkého RDS(on) a efektivního tepelného výkonu v konstrukcích s omezeným prostorem.
Certifikace AEC Q101
Bez obsahu Pb
Bez obsahu halogenů
Vyhovuje RoHS