řada: SIS4406DN Jednoduché tranzistory MOSFET Typ N-kanálový 62.8 A 40 V Vishay, PowerPAK, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 653-147
- Výrobní číslo:
- SIS4406DN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 páska po 1 kusu)*
31,12 Kč
(bez DPH)
37,66 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 5 900 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
páska, -y | za pásku |
|---|---|
| 1 - 24 | 31,12 Kč |
| 25 - 99 | 30,63 Kč |
| 100 - 499 | 29,64 Kč |
| 500 - 999 | 25,44 Kč |
| 1000 + | 23,96 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 653-147
- Výrobní číslo:
- SIS4406DN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 62.8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Řada | SIS4406DN | |
| Typ balení | PowerPAK | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.00475Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 33.7W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 23.7nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 3.30mm | |
| Výška | 0.41mm | |
| Šířka | 3.30 mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 62.8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Řada SIS4406DN | ||
Typ balení PowerPAK | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.00475Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 33.7W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 23.7nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 3.30mm | ||
Výška 0.41mm | ||
Šířka 3.30 mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
N-kanálový MOSFET Vishay je navržen pro vysoce účinné spínání v kompaktních napájecích systémech. Podporuje napětí zdroje odtoku až 40 V. V balení PowerPAK 1212-8 využívá technologii TrenchFET Gen IV k zajištění nízkého náboje hradla (Qg), sníženého výstupního náboje (Qoss) a optimalizovaného spínacího výkonu.
Bez obsahu Pb
Bez obsahu halogenů
Vyhovuje RoHS
Související odkazy
- řada: SIS4406DN Jednoduché tranzistory MOSFET SIS4406DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 62.8 A 40 V Vishay počet
- řada: SIR4411DP Jednoduché tranzistory MOSFET Typ P-kanálový -48.3 A -40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SIR4156LDP Jednoduché tranzistory MOSFET Typ N-kanálový 25.7 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SIR4406DP Jednoduché tranzistory MOSFET Typ N-kanálový 78 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SIB4122DK Jednoduché tranzistory MOSFET Typ N-kanálový 5.9 A 100 V Vishay počet kolíků: 7 kolíkový
- řada: SISS5812DN Jednoduché tranzistory MOSFET Typ N-kanálový 42.8 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SIS9122 Jednoduché tranzistory MOSFET Duální N-kanálový 7.1 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SIS5712DN Jednoduché tranzistory MOSFET Typ N-kanálový 18 A 150 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový