řada: SIRS5702DP Jednoduché tranzistory MOSFET Typ N-kanálový 119 A 150 V Vishay, PowerPAK, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 653-131
- Výrobní číslo:
- SIRS5702DP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 1 kusu)*
90,90 Kč
(bez DPH)
109,99 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 6 000 jednotka(y) budou odesílané od 17. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
páska, -y | za pásku |
|---|---|
| 1 - 9 | 90,90 Kč |
| 10 - 24 | 88,67 Kč |
| 25 - 99 | 86,45 Kč |
| 100 - 499 | 73,85 Kč |
| 500 + | 69,41 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 653-131
- Výrobní číslo:
- SIRS5702DP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 119A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 150V | |
| Typ balení | PowerPAK | |
| Řada | SIRS5702DP | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0072Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 245W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 44nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 0.95mm | |
| Délka | 6.10mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 119A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 150V | ||
Typ balení PowerPAK | ||
Řada SIRS5702DP | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0072Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 245W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 44nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 0.95mm | ||
Délka 6.10mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-kanálový MOSFET Vishay je navržen pro vysoce účinné spínání v systémech s vysokou výkonovou hustotou. Podporuje napětí zdroje odtoku až 150 V. V balení PowerPAK SO-8S využívá technologii TrenchFET Gen V, která zajišťuje mimořádně nízký RDS(on), snížený náboj hradla a vynikající tepelný výkon.
Bez obsahu Pb
Bez obsahu halogenů
Vyhovuje RoHS
Související odkazy
- řada: SIRS5702DP Jednoduché tranzistory MOSFET SIRS5702DP-T1-RE3 Typ N-kanálový 119 A 150 V Vishay počet
- řada: SIRS5700DP Jednoduché tranzistory MOSFET Typ N-kanálový 144 A 150 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SIRS4300DP Jednoduché tranzistory MOSFET Typ N-kanálový 680 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SIR5812DP Jednoduché tranzistory MOSFET Typ N-kanálový 45.3 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SIRS4300DP Jednoduché tranzistory MOSFET SIRS4300DP-T1-RE3 Typ N-kanálový 680 A 30 V Vishay počet
- řada: SIRS5700DP Jednoduché tranzistory MOSFET SIRS5700DP-T1-RE3 Typ N-kanálový 144 A 150 V Vishay počet
- řada: SIR5812DP Jednoduché tranzistory MOSFET SIR5812DP-T1-RE3 Typ N-kanálový 45.3 A 80 V Vishay počet
- MOSFET SIR158DP-T1-RE3 N-kanálový 60 A 30 V počet kolíků: 8 Jednoduchý