řada: SIRS5702DP Jednoduché tranzistory MOSFET N-kanálový 119 A 150 V Vishay, PowerPAK, počet kolíků: 8 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 páska po 1 kusu)*

92,13 Kč

(bez DPH)

111,48 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

páska, -y
za pásku
1 - 992,13 Kč
10 - 2489,91 Kč
25 - 9987,69 Kč
100 - 49974,59 Kč
500 +70,15 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
653-131
Výrobní číslo:
SIRS5702DP-T1-RE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

N

Typ produktu

Jednoduché tranzistory MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

119A

Maximální napětí na zdroji Vds

150V

Řada

SIRS5702DP

Typ balení

PowerPAK

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

0.0072Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

245W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

44nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

950μm

Šířka

5.1mm

Normy/schválení

No

Délka

6.1mm

Automobilový standard

Ne

N-kanálový MOSFET Vishay je navržen pro vysoce účinné spínání v systémech s vysokou výkonovou hustotou. Podporuje napětí zdroje odtoku až 150 V. V balení PowerPAK SO-8S využívá technologii TrenchFET Gen V, která zajišťuje mimořádně nízký RDS(on), snížený náboj hradla a vynikající tepelný výkon.

Bez obsahu Pb

Bez obsahu halogenů

Vyhovuje RoHS

Související odkazy