řada: SISS176LDN Jednoduché tranzistory MOSFET Typ N-kanálový 42.3 A 70 V Vishay, PowerPAK, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 653-100
- Výrobní číslo:
- SISS176LDN-T1-UE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 1 kusu)*
23,22 Kč
(bez DPH)
28,10 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 6 000 jednotka(y) budou odesílané od 17. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
páska, -y | za pásku |
|---|---|
| 1 - 24 | 23,22 Kč |
| 25 - 99 | 22,72 Kč |
| 100 - 499 | 22,23 Kč |
| 500 - 999 | 19,02 Kč |
| 1000 + | 18,03 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 653-100
- Výrobní číslo:
- SISS176LDN-T1-UE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 42.3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 70V | |
| Typ balení | PowerPAK | |
| Řada | SISS176LDN | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0125Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 9.2nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 39W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 3.30mm | |
| Výška | 0.41mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 42.3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 70V | ||
Typ balení PowerPAK | ||
Řada SISS176LDN | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0125Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 9.2nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 39W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 3.30mm | ||
Výška 0.41mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový MOSFET Vishay TrenchFET Gen IV s N-kanálem má jmenovité napětí zdroje vypouštění 70 V a nepřetržitý vypouštěcí proud 42,3 A. Je vybaven kompaktním pouzdrem PowerPAK 1212-8S pro povrchovou montáž, díky čemuž je ideální pro měniče DC/DC, synchronní usměrňování, řízení motorů a spínání zátěže.
Bez obsahu Pb
Bez obsahu halogenů
Vyhovuje RoHS
Související odkazy
- řada: SISS176LDN Jednoduché tranzistory MOSFET SISS176LDN-T1-UE3 Typ N-kanálový 42.3 A 70 V Vishay počet
- řada: SISS178LDN Jednoduché tranzistory MOSFET Typ N-kanálový 45.3 A 70 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SISS178LDN Jednoduché tranzistory MOSFET SISS178LDN-T1-UE3 Typ N-kanálový 45.3 A 70 V Vishay počet
- řada: SiR870BDP Jednoduché tranzistory MOSFET Typ N-kanálový 81 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiR870BDP Jednoduché tranzistory MOSFET SIR870BDP-T1-UE3 Typ N-kanálový 81 A 100 V Vishay počet kolíků:
- řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 42.3 A 70 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SiS176LDN-T1-GE3 Typ N-kanálový 42.3 A 70 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SIRA12DDP Jednoduché tranzistory MOSFET Typ N-kanálový 81 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový