řada: SI8818EDB Jednoduché tranzistory MOSFET SI8818EDB-T2-E1 N-kanálový 2.2 A 30 V Vishay, PowerPAK, počet kolíků: 4

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

9 612,00 Kč

(bez DPH)

11 631,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • Posledních 3 000 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks
za jednotku
za cívku*
3000 +3,204 Kč9 612,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
653-090
Výrobní číslo:
SI8818EDB-T2-E1
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

Jednoduché tranzistory MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

2.2A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Řada

SI8818EDB

Typ balení

PowerPAK

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

0.143Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

2.4nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

12V

Maximální ztrátový výkon Pd

0.9W

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Délka

0.8mm

Šířka

0.8mm

Výška

0.39mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
N-kanálový MOSFET Vishay je navržen pro ultrakompaktní, vysoce účinné spínání v systémech s omezeným prostorem. Podporuje napětí zdroje odtoku až 30 V. V balení MICRO FOOT 0,8 mm x 0,8 mm využívá technologii TrenchFET pro nízký RDS(on), rychlé spínání a vynikající tepelný výkon.

Bez obsahu Pb

Bez obsahu halogenů

Vyhovuje RoHS

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.