řada: E Jednoduché tranzistory MOSFET Typ N-kanálový 32 A 600 V Vishay, PowerPAK, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 653-084
- Výrobní číslo:
- SIHR120N60E-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 1 kusu)*
136,34 Kč
(bez DPH)
164,97 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 4 000 jednotka(y) budou odesílané od 15. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
páska, -y | za pásku |
|---|---|
| 1 - 9 | 136,34 Kč |
| 10 - 49 | 132,39 Kč |
| 50 - 99 | 128,44 Kč |
| 100 + | 110,16 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 653-084
- Výrobní číslo:
- SIHR120N60E-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 32A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | E | |
| Typ balení | PowerPAK | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.12Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 278W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 8mm | |
| Délka | 10.42mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 32A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada E | ||
Typ balení PowerPAK | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.12Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 278W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 8mm | ||
Délka 10.42mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový tranzistor MOSFET Vishay řady E, napětí zdroje vypouštění 600 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 32 A – SIHR120N60E-T1-GE3
Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťový spínací tranzistor navržený pro převod a řízení výkonu pro povrchovou montáž v průmyslových systémech. Funguje jako vylepšovací zařízení s N-kanálem a je vhodný pro aplikace vyžadující robustní tepelnou toleranci a trvalou manipulaci s výkonem v náročných elektrických prostředích.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitý odvod 600 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace • Stálý proud 32 A podporuje značné zátěžové proudy • Rds(on) 0,12 Ω minimalizuje ztráty při vedení za jmenovitých podmínek • Rozptýlení výkonu 278 W umožňuje významný průtok tepla • Typické rychlosti nabíjení hradla 29 nC pro přepínání • Maximální teplota spoje 150 °C odolává vysokému tepelnému namáhání
Aplikace
• Vhodné pro vysokonapěťové výkonové stupně pohonu motoru • Ideální pro spínané napájecí zdroje v průmyslových zařízeních • Používá se pro měniče AC/DC vyžadující vysokou rozptylovou kapacitu • Lze použít pro elektronické předřadníky a řídicí obvody osvětlení • Vhodné pro spínání napájení v automatizačních a ovládacích panelech
Jaký typ montáže vyžaduje pro montáž desky?
Dodává se v bezolovnatém pouzdru PowerPAK pro povrchovou montáž s osmi kolíky, určeném pro pájené upevnění k zemnění PCB a tepelné vedení pro odvod tepla.
Jaké úvahy o pohonu hradla bych měl dovolit?
Tolerance hradla-zdroje je ±30 V a typické náboje hradla 29 nC vyžaduje ovladač schopný napájet a pohlcovat dostatečný proud pro zamýšlenou spínací frekvenci.
Jak ovlivňuje jeho teplotní rozsah nasazení?
Zařízení je specifikováno pro provoz při teplotách do -55 °C a až 150 °C, což umožňuje použití v široké škále okolních a zvýšených scénářů, pokud je implementováno tepelné řízení.
Jaké elektrické limity chrání před přepětím nebo nadměrným rozptylem?
Maximální napětí odvodu-zdroje je 600 V a jmenovitý ztrátový výkon je 278 W
konstrukce by měly zahrnovat vhodné svorky a tepelné cesty, aby se zabránilo překročení.
Související odkazy
- řada: E Jednoduché tranzistory MOSFET SIHR120N60E-T1-GE3 Typ N-kanálový 32 A 600 V Vishay počet kolíků: 8
- řada: E Jednoduché tranzistory MOSFET Typ N-kanálový 38 A 600 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: E Jednoduché tranzistory MOSFET SIHR100N60E-T1-GE3 Typ N-kanálový 38 A 600 V Vishay počet kolíků: 8
- řada: E MOSFET Typ N-kanálový 32 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SIRA12DDP Jednoduché tranzistory MOSFET Typ N-kanálový 81 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SIRA10DDP Jednoduché tranzistory MOSFET Typ N-kanálový 96 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SISS5208DN Jednoduché tranzistory MOSFET Typ N-kanálový 172 A 20 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SIS9122 Jednoduché tranzistory MOSFET Duální N-kanálový 7.1 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový