řada: TN2510 Jednoduché tranzistory MOSFET TN2510N8-G N-kanálový 730 mA 100 V Microchip, SOT-89, počet kolíků: 3
- Skladové číslo RS:
- 649-584P
- Výrobní číslo:
- TN2510N8-G
- Výrobce:
- Microchip
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
1 319,00 Kč
(bez DPH)
1 596,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 1 995 jednotka(y) budou odesílané od 27. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 50 - 245 | 26,38 Kč |
| 250 - 495 | 23,662 Kč |
| 500 + | 20,056 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 649-584P
- Výrobní číslo:
- TN2510N8-G
- Výrobce:
- Microchip
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Microchip | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 730mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | TN2510 | |
| Typ balení | SOT-89 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.5Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.8V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.6W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Microchip | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 730mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada TN2510 | ||
Typ balení SOT-89 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.5Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.8V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.6W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistor Microchip s nízkou prahovou hodnotou a režimem vylepšení (normálně vypnutý) využívá svislou strukturu DMOS a osvědčený výrobní proces s křemíkovou hradlicí. Tato kombinace vytváří zařízení s funkcemi řízení napájení bipolárních tranzistorů a vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem inherentním u zařízení MOS. Charakteristické pro všechny konstrukce MOS, toto zařízení je bez tepelného úniku a sekundárního rozkladu vyvolaného teplem. Svislé tranzistory DMOS FET jsou ideální pro širokou škálu spínacích a zesilovacích aplikací, kde je požadováno velmi nízké prahové napětí, vysoké přerušovací napětí, vysoká vstupní impedance, nízká vstupní kapacita a vysoké spínací rychlosti.
Rychlé spínací rychlosti
Nízký odpor při zapnutí
Bez sekundárního poškození
Nízký vstupní a výstupní únik