řada: DN3135 Jednoduché tranzistory MOSFET DN3135N8-G N-kanálový 72 mA 350 V Microchip, SOT-89, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 649-459P
- Výrobní číslo:
- DN3135N8-G
- Výrobce:
- Microchip
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 250 kusů a ušetřete 419,50 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
795,30 Kč
(bez DPH)
962,30 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 975 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 50 - 245 | 15,906 Kč | - |
| 250 - 495 | 14,228 Kč | 419,50 Kč |
| 500 + | 12,746 Kč | 1 580,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 649-459P
- Výrobní číslo:
- DN3135N8-G
- Výrobce:
- Microchip
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Microchip | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 72mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 350V | |
| Řada | DN3135 | |
| Typ balení | SOT-89 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 35Ω | |
| Režim kanálu | Vyčerpání | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.3W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.8V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Šířka | 1.3mm | |
| Výška | 1.12mm | |
| Délka | 2.9mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Microchip | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 72mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 350V | ||
Řada DN3135 | ||
Typ balení SOT-89 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 35Ω | ||
Režim kanálu Vyčerpání | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.3W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.8V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Šířka 1.3mm | ||
Výška 1.12mm | ||
Délka 2.9mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistor Microchip s režimem vyčerpání s nízkou prahovou hodnotou (normálně zapnutý) využívající pokročilou svislou strukturu DMOS a osvědčený výrobní proces s křemíkovou hradlicí. Tato kombinace vytváří zařízení s funkcemi řízení napájení bipolárních tranzistorů a s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem inherentním u zařízení MOS. Charakteristické pro všechny konstrukce MOS, toto zařízení je bez tepelného úniku a sekundárního rozkladu vyvolaného teplem. Svislé tranzistory DMOS FET jsou ideální pro širokou škálu spínacích a zesilovacích aplikací, kde je požadováno vysoké přerušovací napětí, vysoká vstupní impedance, nízká vstupní kapacita a vysoké spínací rychlosti.
Vysoká vstupní impedance
Nízká vstupní kapacita
Rychlé spínací rychlosti
Nízký odpor při zapnutí
Bez sekundárního poškození
Nízký vstupní a výstupní únik