AEC-Q101, řada: NVM Jednoduché tranzistory MOSFET N-kanálový 66 A 40 V onsemi, DFN-5, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 648-508P
- Výrobní číslo:
- NVMFWS004N04XMT1G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (100 jednotky/-ek, dodává se na souvislé pásce)*
1 494,40 Kč
(bez DPH)
1 808,20 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 500 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 100 - 490 | 14,944 Kč |
| 500 - 990 | 8,991 Kč |
| 1000 + | 8,892 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 648-508P
- Výrobní číslo:
- NVMFWS004N04XMT1G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 66A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Řada | NVM | |
| Typ balení | DFN-5 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 5 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.7mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 38W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | PPAP capable, Halogen Free/BFR Free, Pb Free, RoHS | |
| Šířka | 5mm | |
| Délka | 6mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 66A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Řada NVM | ||
Typ balení DFN-5 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 5 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.7mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 38W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení PPAP capable, Halogen Free/BFR Free, Pb Free, RoHS | ||
Šířka 5mm | ||
Délka 6mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Automobilový výkonový MOSFET společnosti ON Semiconductor v plochém vodičovém pouzdru 5 x 6 mm určeném pro kompaktní a efektivní konstrukce a včetně vysokého tepelného výkonu. K dispozici je volba zvlhčitelného boku pro vylepšenou optickou kontrolu. Kvalifikovaný MOSFET AEC-Q101 a schopnost PPAP, vhodný pro automobilové aplikace.
Malá velikost
Nízká hodnota RDS(zapnuto)
Nízká QG a kapacita
Volitelný zvlhčovací bok
Kvalifikace AEC−Q101 a schopnost PPAP
V souladu s RoHS