řada: NTT Jednoduché tranzistory MOSFET NTTFS4D9N04XMTAG N-kanálový 65 A 40 V onsemi, WDFN8, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 648-506
- Výrobní číslo:
- NTTFS4D9N04XMTAG
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 20 kusech)*
309,50 Kč
(bez DPH)
374,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 1 500 jednotka(y) budou odesílané od 25. srpna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 15,475 Kč | 309,50 Kč |
| 200 - 980 | 9,584 Kč | 191,68 Kč |
| 1000 - 1980 | 5,533 Kč | 110,66 Kč |
| 2000 + | 5,422 Kč | 108,44 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 648-506
- Výrobní číslo:
- NTTFS4D9N04XMTAG
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 65A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | WDFN8 | |
| Řada | NTT | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.9mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 10.4nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 38W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 3.3mm | |
| Délka | 3.3mm | |
| Normy/schválení | RoHS, Pb-Free | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 65A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení WDFN8 | ||
Řada NTT | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.9mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 10.4nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 38W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 3.3mm | ||
Délka 3.3mm | ||
Normy/schválení RoHS, Pb-Free | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Nejnovější technologie Power MOSFET společnosti ON Semiconductor se standardní úrovní hradla 40 V s nejlepším odporem při zapnutí ve své třídě pro aplikace s ovladači motorů. Nižší odpor při zapnutí a menší náboj na hradle mohou snížit ztráty při vedení a ztráty při řízení. Dobrá regulace měkkosti pro zpětné zotavení tělesové diody může snížit napětí napěťových špiček bez dodatečného snubber obvodu v aplikaci.
Nízká hodnota RDS(zapnuto)
Nízká kapacita
Malý otisk 3,3 x 3,3 mm
Související odkazy
- řada: NTT Jednoduché tranzistory MOSFET NTTFS1D4N04XMTAG N-kanálový 178 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový
- onsemi Tranzistor 100 mA NPN 65 V počet kolíků: 3 kolíkový Jednoduchý
- onsemi Tranzistor -100 mA PnP -65 V počet kolíků: 3 kolíkový Jednoduchý
- onsemi Tranzistor 100 mA PnP 65 V počet kolíků: 3 kolíkový Jednoduchý
- onsemi Tranzistor BC556BTA -100 mA PnP -65 V počet kolíků: 3 kolíkový Jednoduchý
- onsemi Tranzistor BC546BTA 100 mA NPN 65 V počet kolíků: 3 kolíkový Jednoduchý
- onsemi Tranzistor BC546CTA 100 mA NPN 65 V počet kolíků: 3 kolíkový Jednoduchý
- onsemi Tranzistor BC556ATA 100 mA PnP 65 V počet kolíků: 3 kolíkový Jednoduchý
