řada: VN2460 Jednoduché tranzistory MOSFET VN2460N3-G N-kanálový vertikální DMOS FET-kanálový 350 mA 90 V Microchip,

Mezisoučet (1 sáček po 1000 kusech)*

23 800,00 Kč

(bez DPH)

28 800,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 27. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
Za Sáček*
1000 +23,80 Kč23 800,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
598-665
Výrobní číslo:
VN2460N3-G
Výrobce:
Microchip
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Microchip

Typ produktu

Jednoduché tranzistory MOSFET

Typ kanálu

N-kanálový vertikální DMOS FET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

350mA

Maximální napětí na zdroji Vds

90V

Typ balení

TO-92-3 (TO-226AA)

Řada

VN2460

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

Režim kanálu

Režim vylepšení

Přímé napětí Vf

1.8V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

1W

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

RoHS Compliant

Délka

5.08mm

Výška

5.33mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
PH
Vertikální MOSFET Microchip N-Channel s vylepšeným režimem je normálně vypnutý tranzistor, který využívá svislou strukturu DMOS a osvědčený výrobní proces s křemíkovou hradlicí. Tato kombinace zajišťuje schopnost manipulace s napájením bipolárních tranzistorů a zároveň nabízí vysokou vstupní impedanci a kladný teplotní koeficient typický pro zařízení MOS. Stejně jako u všech konstrukcí MOS je zařízení bez tepelného úniku a tepelně indukovaného sekundárního porušení, což zajišťuje spolehlivý výkon i v náročných podmínkách.

Bez sekundárního poškození

Požadavky na pohon s nízkou spotřebou energie

Snadnost paralelního zapojení

Vynikající tepelná stabilita

Integrovaná zdrojová vypouštěcí dioda

Vysoká vstupní impedance a vysoké zisky

Související odkazy