řada: TN0106 Jednoduché tranzistory MOSFET TN0106N3-G Typ N-kanálový 3.4 A 60 V Microchip, TO-92, počet kolíků: 3
- Skladové číslo RS:
- 598-395
- Výrobní číslo:
- TN0106N3-G
- Výrobce:
- Microchip
Mezisoučet (1 sáček po 1000 kusech)*
17 424,00 Kč
(bez DPH)
21 083,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 21. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Za Sáček* |
|---|---|---|
| 1000 + | 17,424 Kč | 17 424,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 598-395
- Výrobní číslo:
- TN0106N3-G
- Výrobce:
- Microchip
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Microchip | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 3.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-92 | |
| Řada | TN0106 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | 150°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1W | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální provozní teplota | -55°C | |
| Výška | 0.82in | |
| Délka | 0.205in | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Microchip | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-92 | ||
Řada TN0106 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota 150°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1W | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální provozní teplota -55°C | ||
Výška 0.82in | ||
Délka 0.205in | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Svislý tranzistor Microchip N-Channel Enhancement-Mode s nízkou prahovou hodnotou je vyroben pomocí svislé struktury DMOS a dobře zavedeného výrobního procesu s křemíkovou hradlicí. Tato konstrukce kombinuje schopnosti manipulace s napájením bipolárních tranzistorů s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem zařízení MOS. Stejně jako všechny konstrukce MOS je toto zařízení bez tepelného úniku a tepelně indukovaného sekundárního porušení.
Rychlé spínací rychlosti
Nízký odpor při zapnutí
Bez sekundárního poškození
Nízký vstupní a výstupní únik
Související odkazy
- řada: TN0106MOSFET TN0106N3-G N-kanálový 350 mA 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- řada: VN2106 Jednoduché tranzistory MOSFET VN2106N3-G Typ N-kanálový 600 mA 60 V Microchip počet kolíků: 3
- řada: VP0808 Jednoduché tranzistory MOSFET VP0808L-G Typ P-kanálový 280 mA 80 V Microchip počet kolíků: 3
- Jednoduché tranzistory MOSFET ADM00276 klasifikace: Vývojový modul
- řada: VN0606 Jednoduché tranzistory MOSFET VN0606L-G N-kanálový vertikální DMOS FET-kanálový 350 mA 90 V Microchip,
- řada: VN2450 Jednoduché tranzistory MOSFET VN2450N8-G N-kanálový vertikální DMOS FET-kanálový 350 mA 90 V Microchip,
- řada: TN0104 Jednoduché tranzistory MOSFET TN0104N8-G N-kanálový vertikální DMOS FET-kanálový 450 mA 40 V Microchip,
- řada: VN0808 Jednoduché tranzistory MOSFET VN0808L-G N-kanálový vertikální DMOS FET-kanálový 350 mA 90 V Microchip,
