řada: TN5325 Jednoduché tranzistory MOSFET TN5325N3-G N-kanálový vertikální DMOS FET-kanálový 450 mA 40 V Microchip,

Mezisoučet (1 sáček po 1000 kusech)*

11 475,00 Kč

(bez DPH)

13 885,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 04. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
Za Sáček*
1000 +11,475 Kč11 475,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
598-241
Výrobní číslo:
TN5325N3-G
Výrobce:
Microchip
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Microchip

Typ produktu

Jednoduché tranzistory MOSFET

Typ kanálu

N-kanálový vertikální DMOS FET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

450mA

Maximální napětí na zdroji Vds

40V

Typ balení

TO-92-3 (TO-226AA)

Řada

TN5325

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

1.8Ω

Režim kanálu

Režim vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

1W

Přímé napětí Vf

1.8V

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

4.2mm

Normy/schválení

RoHS Compliant

Výška

5.3mm

Automobilový standard

Ne

Svislý tranzistor Microchip s režimem vylepšení N-kanálu je zařízení s nízkou prahovou hodnotou a normálním vypnutím, které využívá svislou strukturu DMOS a osvědčený proces výroby křemíkových hradel. Tato kombinace poskytuje možnosti manipulace s napájením bipolárních tranzistorů spolu s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem charakteristickým pro zařízení MOS. Stejně jako u všech konstrukcí MOS je zařízení bez tepelného úniku a tepelně indukovaného sekundárního porušení.

Nízká prahová hodnota

Vysoká vstupní impedance a vysoké zisky

Bez sekundárního poškození

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.