řada: HEXFET MOSFET IRFB4332PBF N-kanálový 60 A 250 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 495-562
- Výrobní číslo:
- IRFB4332PBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
133,13 Kč
(bez DPH)
161,09 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 238 jednotka(y) budou odesílané od 28. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 133,13 Kč |
| 10 - 24 | 126,96 Kč |
| 25 - 49 | 121,03 Kč |
| 50 - 99 | 115,84 Kč |
| 100 + | 108,19 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 495-562
- Výrobní číslo:
- IRFB4332PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 60A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 250V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 33mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -30V, +30V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 390W | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 99nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 9.02mm | |
| Šířka | 4.82mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.66mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 60A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 250V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 33mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -30V, +30V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 390W | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 99nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 9.02mm | ||
Šířka 4.82mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.66mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud 60 A, maximální ztrátový výkon 390 W - IRFB4332PBF
Tento MOSFET je přizpůsoben pro vysoce výkonné aplikace v automatizaci a elektronice. Využívá pokročilou technologii HEXFET a zajišťuje optimální účinnost a spolehlivost v kritických prostředích. Zařízení má robustní specifikace v kombinaci s uživatelsky přívětivým designem, takže je vhodné pro řadu průmyslových aplikací. Jeho efektivní provoz v náročných podmínkách splňuje požadavky moderních elektronických systémů.
Vlastnosti a výhody
• N-kanálové uspořádání podporuje efektivní tok proudu
• Trvalý odtokový proud 60 A umožňuje vysoký výkon
• Vysoká napěťová kapacita až 250 V zvyšuje univerzálnost
• Nízký zapínací odpor zvyšuje účinnost a minimalizuje tvorbu tepla
• Provoz v režimu Enhancement zlepšuje stabilitu digitálních aplikací
• Vysoká schopnost rozptylu energie přispívá ke spolehlivosti při zatížení
Aplikace
• Použití v systémech rekuperace energie pro zvýšení účinnosti
• Vhodné pro průchozí spínač kde je omezený prostor
• Používá se v plazmových zobrazovacích panelech pro zvýšení výkonu
• Ideální pro automatizační řízení vyžadující trvalý vysoký proud
Jaký je teplotní rozsah pro optimální provoz?
Přístroj účinně pracuje při teplotách od -40 °C do +175 °C, což mu umožňuje fungovat v různých podmínkách prostředí.
Jak ovlivňuje prahové napětí hradla výkon?
S prahovým napětím mezi 3 V a 5 V umožňuje přesné řízení ve spínacích aplikacích.
Zvládne vysoké pulzní proudy?
Ano, konstrukce je přizpůsobena pulzním odtokovým proudům, což za určitých podmínek umožňuje proud 230 A, což je výhodné pro přechodové aplikace.
Jaké jsou požadavky na tepelné řízení?
Pro udržení optimálního výkonu je třeba zavést odpovídající chladicí opatření s ohledem na maximální ztrátový výkon 390 W.
Je kompatibilní s různými montážními konfiguracemi?
Pouzdro TO-220AB umožňuje jednoduchou průchozí montáž, což zvyšuje kompatibilitu s různými obvody.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 60 A 250 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 46 A 250 V Infineon, TO-220 Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFB4229PBF N-kanálový 46 A 250 V Infineon, TO-220 Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 180 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 51 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 25 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 280 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení