řada: SCT MOSFET SCT040W65G3-4 N-kanálový 30 A 650 V STMicroelectronics, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

241,07 Kč

(bez DPH)

291,69 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 26 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 9241,07 Kč
10 - 99216,87 Kč
100 +201,06 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
366-221
Výrobní číslo:
SCT040W65G3-4
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ kanálu

N

Provozní frekvence

1MHz

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

30A

Výkon

240W

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Řada

SCT

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

4

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

200°C

Šířka

15.9mm

Normy/schválení

RoHS

Výška

5.1mm

Délka

20.1mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
Zařízení STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET bylo vyvinuto pomocí pokročilé a inovativní technologie SiC MOSFET 3. generace společnosti ST. Zařízení nabízí velmi nízkou hodnotu RDS(on) v celém teplotním rozsahu v kombinaci s nízkou kapacitou a velmi vysokými spínacími operacemi, které zlepšují výkon aplikace z hlediska frekvence, energetické účinnosti, velikosti systému a snížení hmotnosti.

Velmi nízká hodnota RDS(on) v celém rozsahu teplot

Vysokorychlostní spínací výkony

Velmi rychlá a robustní dioda s vlastním tělem

Velmi vysoká provozní teplota spoje

Kolík pro snímání zdroje pro zvýšení účinnosti

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.