řada: IGC033 MOSFET IGC033S10S1XTMA1 Typ P-kanálový 76 A 100 V Infineon, PG-VSON-6, počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 351-971
- Výrobní číslo:
- IGC033S10S1XTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
205,01 Kč
(bez DPH)
248,062 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 4 860 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 102,505 Kč | 205,01 Kč |
| 20 - 198 | 92,50 Kč | 185,00 Kč |
| 200 - 998 | 85,09 Kč | 170,18 Kč |
| 1000 - 1998 | 79,165 Kč | 158,33 Kč |
| 2000 + | 70,89 Kč | 141,78 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 351-971
- Výrobní číslo:
- IGC033S10S1XTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 76A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | IGC033 | |
| Typ balení | PG-VSON-6 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.3mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 5.5V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 45W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | JEDEC | |
| Šířka | 3.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 76A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada IGC033 | ||
Typ balení PG-VSON-6 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.3mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 5.5V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 45W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení JEDEC | ||
Šířka 3.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
MOSFET Infineon řady IGC033, zdrojové napětí vypouštění 100 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 76 A – IGC033S10S1XTMA1
Tento MOSFET je zesilovací zařízení s P-kanálem určené pro vysokoproudové spínání v povrchově namontované elektronice. Pracuje v širokém rozsahu teplot a je vhodný pro náročné tepelné prostředí a zároveň zajišťuje nízkoodporové vedení pro řízení napájení a úkoly konverze.
Charakteristiky a výhody:
• Odpor odvod/zdroj 3.3 mΩ pro minimální ztráty vedení
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 76 A umožňující přepínání při velkém zatížení
• Jmenovité napětí 100 V pro vysokonapěťové aplikace
• Typické náboje hradla 11 nC pro rychlejší přepínání
• Maximální ztrátový výkon 45 W pro vysoké zatížení
• Maximální tolerance hradla-zdroje 5,5 V pro kompatibilitu s nízkonapěťovými pohony
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 76 A umožňující přepínání při velkém zatížení
• Jmenovité napětí 100 V pro vysokonapěťové aplikace
• Typické náboje hradla 11 nC pro rychlejší přepínání
• Maximální ztrátový výkon 45 W pro vysoké zatížení
• Maximální tolerance hradla-zdroje 5,5 V pro kompatibilitu s nízkonapěťovými pohony
Aplikace
• Vhodné pro synchronní snižovací měniče v napájecích zdrojích
• Ideální pro stupně budiče motoru vyžadující vysoký proud
• Používá se pro spínání vysokonapěťové zátěže v průmyslových systémech
• Lze použít pro serverové a telekomunikační rozvody napájení
• Vhodné pro kompaktní napájecí moduly pro povrchovou montáž
• Ideální pro stupně budiče motoru vyžadující vysoký proud
• Používá se pro spínání vysokonapěťové zátěže v průmyslových systémech
• Lze použít pro serverové a telekomunikační rozvody napájení
• Vhodné pro kompaktní napájecí moduly pro povrchovou montáž
Jaký typ pouzdra mám naplánovat na svou desku?
Dodává se v pouzdru pro povrchovou montáž PG-VSON-6, který vyžaduje šestikolíkový půdorys a tepelnou podložku pro odvod tepla.
Jak rozsah teplot ovlivňuje volbu nasazení?
Díky provoznímu rozsahu od -40 do 150 °C jej lze umístit do prostředí s širokou tepelnou variabilitou, i když rozložení musí zajistit dostatečnou tepelnou vodivost, aby zůstalo v rozptýlených mezích.
Jaké úrovně pohonu hradla jsou přijatelné pro spínání?
Napětí mezi bránou a zdrojem nesmí překročit 5.5 V
typické nízkonapěťové obvody pohonu hradla jsou vhodné vzhledem ke skromnému náboji hradla.
Existují specifické úvahy pro řízení ztrát výkonu?
Maximální výkon 45 W vyžaduje dostatečnou plochu mědi nebo chladič na PCB a zohlednění pracovního cyklu, aby se zabránilo přehřátí spoje.
Související odkazy
- řada: IGC033 MOSFET IGC033S101XTMA1 Typ P-kanálový 76 A 100 V Infineon počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolGaN Jednoduché tranzistory MOSFET IGC033S101 Typ P-kanálový 76 A 100 V Infineon počet kolíků: 6
- řada: IPL MOSFET N-kanálový 21 A 700 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: IPL MOSFET IPL65R099C7AUMA1 N-kanálový 21 A 700 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C7 MOSFET N-kanálový 10 A 700 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C7 MOSFET IPL65R230C7AUMA1 N-kanálový 10 A 700 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Infineon Usměrňovací a Schottkyho diody 6 A 650 V počet kolíků: 5 kolíkový
- Infineon Usměrňovací a Schottkyho diody IDL06G65C5XUMA2 6 A 650 V počet kolíků: 5 kolíkový
