řada: IMW65 MOSFET IMW65R010M2HXKSA1 Typ N-kanálový 130 A 650 V, PG-TO-247 Infineon, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 351-950
- Výrobní číslo:
- IMW65R010M2HXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
691,11 Kč
(bez DPH)
836,24 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 240 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 691,11 Kč |
| 10 - 99 | 621,95 Kč |
| 100 + | 573,53 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 351-950
- Výrobní číslo:
- IMW65R010M2HXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 130A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Výkon | 312W | |
| Typ balení | PG-TO-247 | |
| Řada | IMW65 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 5.3mm | |
| Normy/schválení | JEDEC | |
| Délka | 16.3mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 130A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Výkon 312W | ||
Typ balení PG-TO-247 | ||
Řada IMW65 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 5.3mm | ||
Normy/schválení JEDEC | ||
Délka 16.3mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Infineon CoolSiC MOSFET G2 v pouzdře TO-247-3 staví na silných stránkách technologie 1. generace a umožňuje urychlit návrh systému nákladově optimalizovaných, efektivních, kompaktních a spolehlivých řešení. Generace 2 přichází s výrazným zlepšením klíčových parametrů pro provoz s tvrdým přepínáním i pro topologie s měkkým přepínáním, vhodné pro všechny běžné kombinace stupňů AC-DC, DC-DC a DC-AC.
Umožňuje úsporu kusovníku
Nejvyšší spolehlivost
Umožňuje nejvyšší účinnost a hustotu výkonu
Snadné použití
Plná kompatibilita se stávajícími dodavateli
Umožňuje konstrukce bez ventilátoru nebo chladiče
Související odkazy
- řada: IMW65 MOSFET IMW65R060M2HXKSA1 Typ N-kanálový 32.8 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IMW65 MOSFET IMW65R026M2HXKSA1 Typ N-kanálový 64 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IMW65 MOSFET IMW65R033M2HXKSA1 Typ N-kanálový 53 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMW65R040M2HXKSA1 Typ N-kanálový 46 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMW65R020M2HXKSA1 Typ N-kanálový 83 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMW65R015M2HXKSA1 Typ N-kanálový 93 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMW65R050M2HXKSA1 Typ N-kanálový 38 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 PG-TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení